FQA 70N10 N-100V 70A MOSFET TO-3P «530»

Максимальная рабочая температура +175 °C Максимальный непрерывный ток стока 70 A Тип корпуса TO-3PN Максимальное рассеяние мощности 214 W Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия Ширина 5мм Высота 18.9мм Размеры 15.8 x 5 x 18.9мм Материал транзистора Кремний Количество элементов на ИС 1 Длина 15.8мм Transistor Configuration Одинарный Типичное время задержки включения 30 нс Производитель ON Semiconductor Типичное время задержки выключения 130 ns Серия QFET Минимальная рабочая температура -55 °C Minimum Gate Threshold Voltage 2V Максимальное сопротивление сток-исток 23 мОм Максимальное напряжение сток-исток 100 В Число контактов 3 Категория Мощный МОП-транзистор Типичный заряд затвора при Vgs 85 нКл при 10 В Номер канала Поднятие Типичная входная емкость при Vds 2500 пФ при 25 В Тип канала N Максимальное напряжение затвор-исток -25 В, +25 В