GT 30J124 600V 200A IGBT TO-220F Toshiba «112»

Описание

Наименование: GT30J124
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 26
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 200(pulse)
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.4
Тип корпуса: TO220SIS