RJP63K2DPP 630V 35A IGBT TO-220FL «А69/4»

IGBT Транзистор RJP63K2DPP (Высокоскоростное переключение питания) Напряжение коллектор-эмиттер (постоянное) с закороченной базой (затвором) с эмиттером VCES 630 V Напряжение затвор-эмиттер при закороченном коллекторе с эмиттером VGES ±30 V Непрерывный ток коллектора IC 35 A Пиковый ток коллектора ic (пик) 200 A Рассеивание коллектора 25 W Температура перехода Tj 150 °C Температурный диапазон хранения  Tstg –55 to +150 °C Напряжение выключения затвора    VGE(off) 2.5 — 5 V Пороговое напряжение на коллекторе-эмиттере при статическом контроле    VCE(sat) — 1.9 2.4 V Входная емкость при закороченном выходе (IGBT)    620 pF Выходная емкость при закороченном входе (IGBT, MOS)    26 pF Общая заряд затвора    20 nC Заряд затвора (IGBT)    3  nC Заряд затвора-истока (МОП-транзисторы)     7 nC Корпус TO-220FL