ГТ 320А pnp 20V 160MHz «Н65/4»

Основные технические характеристики транзистора 1Т320А: • Структура: p-n-p • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 200 мВт; • Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой:  не менее 160 МГц; • Uкбо - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 20 В; • Uэбо - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 200 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА при 20 В; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 40...100 при 1В; 10мА; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 8 пФ при 5В; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 8,5 Ом; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не нормируется; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 500 пс