GT 50JR22 IGBT 600V 50A 230W IGBT TO-3P Toshiba «212»
Описание GT50JR22 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 230 Вт
IGBT Discretes, Toshiba
Наличие встроенного диода да Максимальное напряжение КЭ ,В 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A 50 Импульсный ток коллектора (Icm), А 100 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.55 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 230 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 250 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 330 Рабочая температура (Tj), °C -55…+175 Корпус to-3p(n) Вес, г 6.5
IGBT Discretes, Toshiba
Наличие встроенного диода да Максимальное напряжение КЭ ,В 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A 50 Импульсный ток коллектора (Icm), А 100 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.55 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 230 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 250 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 330 Рабочая температура (Tj), °C -55…+175 Корпус to-3p(n) Вес, г 6.5
Тип транзистора
IGBT
Авторизуйтесь, чтобы оставить комментарий
Также Вы можете войти через:
Я согласен(на) на обработку моих персональных данных. Подробнее
Находится в разделах
Обновление каталога
Каталог товаров регулярно расширяется и пополняется. Весь наш товар присутствует на сайте!
Быстрая доставка
Быстрая доставка по всей территории России
Доставка заказов
Курьерская доставка
Курьерская доставка работает с 9.00 до 19.00. Когда товар поступит на склад, курьерская служба свяжется для уточнения деталей. Специалист предложит выбрать удобное время доставки и уточнит адрес. Осмотрите упаковку на целостность и соответствие указанной комплектации.
Почтовая доставка
Почтовая доставка через почту России. Когда заказ придет в отделение, на ваш адрес придет извещение о посылке. Перед оплатой вы можете оценить состояние коробки: вес, целостность. Вскрывать коробку самостоятельно вы можете только после оплаты заказа. Один заказ может содержать не больше 10 позиций и его стоимость не должна превышать 100 000 р.
