МЕНЮ
КАТАЛОГ
Назад
КАТАЛОГ ТОВАРОВ
 
 
 
0
ТОВАР ДНЯ
Новинка
Карманный цифровой осциллограф
К товару

IRFBE 30N-800V 4.1A 125W MOSFET

Рейтинг:
(0 голосов)
65
Количество:
Артикул: нет
Поделиться
N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor
Технические параметры Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 800 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4.1 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 3 ом при 2.5a, 10в Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 125 Крутизна характеристики, S 2.5 Корпус to220ab Пороговое напряжение на затворе 4
Оставить комментарий
Заполните обязательные поля *.